Анализ алгоритма работы специализированного вычислителя

Функция

1 цикл

2 цикл

Внеочередная команда

Чтение

00h

30h


Чтение для перезаписи

00h

35h


Чтение сигнатуры

90h

-


Сброс

FFh

-

V

Запись на страницу

80h

10h


Запись в кэш

80h

15h


Перезапись

85h

10h


Стирание блока

60h

D0h


Произвольный ввод данных*

85h

-


Произвольный вывод данных*

05h

E0h


Чтение статуса

70h

-

V


* Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах 1 страницы.

Ускорить запись данных можно при помощи кэш-регистра объемом 2112 байт. Запись в кэш-регистр может быть произведена во время перезаписи данных из регистра данных в ячейки памяти (во время программирования). После окончания программирования, при наличии данных в кэш регистре, внутренний контроллер микросхемы перепишет данные из кэш-регистра в регистр данных и начнет запись новой страницы.

Устройство реализует функцию автоматического чтения при включении питания, которая обеспечивает последовательный доступ к данным первой страницы после включения питания без ввода команды и адреса.

В дополнение к расширенной архитектуре и интерфейсу устройство включает функцию резервного копирования данных с одной страницы на другую без использования внешней буферной памяти. Т.к. трудоемкие циклы последовательного доступа и ввода данных исключены, то производительность системы для применения в полупроводниковых дисках значительно улучшена.

Устройство может содержать недопустимые блоки при первом использовании. Во время использования микросхемы количество недопустимых блоков может возрасти. Недопустимые блоки - это блоки, которые содержат 1 или более изначально неработоспособных битов, надежность которых не гарантируется компанией Samsung. Устройства с недопустимыми блоками имеют тот же уровень качества и те же динамические и статические характеристики, как и устройства без таких блоков. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолированы от разрядной шины и общей шины питания транзистором выбора. Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа. Первый блок, помещаемый в 00-й адрес, должен использоваться для хранения загрузочной информации. SAMSUNG уверяет, что он будет гарантированно допустимым, не требующим исправления ошибок в течение 1 Кциклов записи/чтения.

Изначально содержимое всех ячеек микросхемы стерто (FFh), за исключением ячеек, где хранится информация о недопустимых блоках, записанная до этого. Допустимость блока определяется 1-ым байтом запасного пространства. Samsung уверяет, что 1 или 2 страница каждого недопустимого блока по адресу столбца 2048 содержит данные, отличающиеся от FFh. Так как информация о недопустимых блоках является стираемой, то в большинстве случаев стирания ее невозможно восстановить. Поэтому, в системе должен быть заложен алгоритм, способный создать таблицу недопустимых блоков, защищённую от стирания и основанную на первоначальной информации о бракованных блоках. Любое намеренное стирание информации о недопустимых блоках запрещено.

Следовательно есть вероятность выхода из строя блоков микросхемы во время эксплуатации системы, что может привести к потере информации. Для повышения надежности хранения информации следует увеличить объем основного накопитель в два раза до 8 Гб.


3. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ


В процессе разработки ПЭС необходимо сопоставить узлам функциональной схемы их электрические эквиваленты. Разделим процесс разработки принципиальной схемы системы на пять этапов:

- микросхема ПЛИС со схемой загрузки;

- микроконтроллер AT89C5131 и USB интерфейс;

- микросхема часов реального времени и ее питание;

- накопитель, повышение быстродействия его работы;

- быстрая промежуточная память.


3.1 Микросхема ПЛИС со схемой загрузки

 

При реализации функциональных блоков в ПЛИС процесс разработки ПЭС сводится к выделению необходимых внешних линий связи и формирования цепей загрузки ПЛИС. В таблице 3.1 приведены внешние связи, сгруппированные по функциональному признаку, которые будут подключены к пользовательским выводам ПЛИС.


Таблица 3.1 - Перечень необходимых пользовательских контактов микросхемы ПЛИС

Сигнал

Функция

ГРУППА УПРАВЛЯЮЩЕГО КОНТРОЛЛЕРА

AD[7..0]

Двунаправленная шина данных и адреса (младший байт) контроллера

A[15..8]

Шина адреса (старший байт)

RST

Сигнал сброса контроллера

RD

Сигнал чтения данных (от контроллера)

CLK_PR

Тактовая частота контроллера

WR

Сигнал записи данных (от контроллера)

T0

Вход внешней частоты таймера 0

T1

Вход внешней частоты таймера 1

INT0

Внешнее прерывание 0

INT1

Внешнее прерывание 1

PSEN

Сигнал для перевода в режим программирования

ALE

Сигнал разрешения записи адреса от контроллера

EA

Сигнал разрешения внешнего доступа

ГРУППА ФЛЕШ

ND[7..0]

Двунаправленная шина адреса, данных, команд.

NCE[15..0]

Сигналы выбора одной из 16 микросхем Flash

RBN[3..0]

Сигналы Свободен/Занят от 4 банков Flash

WP[3..0]

Сигналы разрешения записи в 4 банка Flash

NWE

Сигнал записи во Flash

NRE

Сигнал чтения данных Flash

NALE

Строб адреса Flash

NCLE

Строб команды Flash

ГРУППА СКОРОСТНОЙ БУФЕРНОЙ ПАМЯТИ (КЕШ)

ERA[18..0]

Шина адреса КЕШ

ERD[7..0]

Двунаправленная шина данных КЕШ

ERCS

Сигнал выбора КЕШ

ERWE

Сигнал записи КЕШ

EROE

Сигнал чтения КЕШ

ГРУППА ЧАСОВ

DTM0

Двунаправленный вывод данных

DTM1

Сигнал тактирования входных, выходных данных

DTM2

Сигнал записи данных

DTM3

Сигнал выборки микросхемы

ГРУППА LINK

LN[7..0]

Шина данных

LN8

Выходной сигнал «ДАННЫЕ ПРИНЯТЫ»

LN9

Входной сигнал «ДАННЫЕ ГОТОВЫ»

LN10

Входной сигнал запроса на захват шины

LN11

Выходной сигнал разрешения захвата шины

LN12

Входной сигнал работы управляющего порта

ГРУППА «РАЗНОЕ»

RESERV[9..0]

Резервная шина

LED[2..0]

Индикаторы

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать