Разработка интегральных микросхем

             

                                                                (10)

 В

                                                                    (11)

 В



                                                                               (12)


 В



                 

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

 

(13)

             Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:

                                                                                                             

                                                 (14)         


Ф;
                                       (15)    

Ф;


       


         


Обратный ток эмиттера определяется по формуле:                              

                 (16)

  А;



            Обратный ток коллектора  определяется по формуле:              


           (17) 

А;

 [8. стр.20-27]

Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС.

Решив неравенство   получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски.


Таблица 3.1.2  Расчетные параметры транзистора КТ805А.

Наименование параметра

Значение

Единица измерения

- коэффициент передачи

9.086E+4

-

- коэффициент инжекции эмиттерного перехода

0.99

-

- коэффициент переноса

1

-

-диффузионная длина акцепторов

5.212E-7

см

- диффузионная длина доноров

1.158E-7

см

-ширина базы

1.2E-6

см

-инверсный  коэффициент передачи

53.642

-

-площадь эмиттера

3E-6

- площадь базы

2E-5

-коэффициент

0

- обратный ток эмиттера

7.073E-12

A

- обратный ток коллектора

1.626E-11

A

0.817

-

0.937

-

-температурный потенциал

0,026

-

-емкость перехода коллектор-база

3.354E-11

Ф

- емкость перехода эмиттер-база

1.367E-11

Ф

-максимальное напряжение коллектор-база

4.527

В

- максимальное напряжение эмиттер-база

2.795E-3

В

- максимальное напряжение эмиттер- коллектор

0.817

В

-омическое сопротивление базы

1.556E-3

Ом

- омическое сопротивление коллектор

1.958

Ом

Таблица  3.1.3  Исходные параметры транзистора КТ502Е



Наименование параметра


значение

Единица измерения

hб –глубина залегания р-n перехода база-коллектор

см

hэ - глубина залегания эмиттерного р-n перехода

0.8

см

hк- толщина коллекторной области

см

- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности

- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода

- поверхностная концентрация акцепторов в базе

- концентрация донорной примеси в коллекторе

- удельное объемное сопротивление коллекторной области

- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы

ð

- удельное поверхностное сопротивление активной области базы

ð

- диффузионная длина дырок в эмиттере

см

- коэффициент диффузии дырок в эмиттере

- диффузионная длина электронов в базе

см

- коэффициент диффузии электронов в базе

- диффузионная длина дырок в коллекторе

см

- коэффициент диффузии дырок в коллекторе

- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике

- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

-


Расчет  параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.

Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

 Длина эмиттера:

                                ;                                                           

 

 мкм

Длина базы:

                                                                                             (18)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

                                                     (19)


 Ом


                                                        (20)

 

  Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

                                                                                                   (21)

где =(0,5 – 2,5) мкм

 

 мкм


Коэффициент переноса  вычисляется по формуле:

                                                         

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;


Коэффициенты  ,   и высчитываются по формулам :

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать